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NTMFS4C05NT1G N

采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

NTMFS4C05NT1G N-CH 30V 11.9A MOS管
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11.9A（Ta）
驱动电压：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻：3.4 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)：14 nC @ 4.5 V
Vgs：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：1972 pF @ 15 V
FET 功能：-
功率耗散：770mW（Ta），33W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线 

特征
符合AEC-Q101标准，并具有PPAP功能
小型封装，实现紧凑设计
超低RDS(ON)，降低导通损耗
经过优化的栅极电荷，降低开关损耗
高功率密度
出色导热性能
效率更高
无卤、无铅，符合RoHS指令

应用
ORing
电机驱动器
DC-DC转换器
电源负载开关
电池管理
高端计算

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